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电子元器件详细资料 » IC[33236] » SI3879DV-T1-GE3
型号:SI3879DV-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 6-TSOP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 6-TSOP
系列LITTLE FOOT®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C70 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs14.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds480pF @ 10V
功率_最大3.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳德田科技有限公司李小姐86-0755-83254070/18680328178
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯满林科技有限公司夏小姐18926544209/18025435189
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
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SI3879DV-T1-GE3相关型号

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